Druk-Pack IGBT
Drukpakket IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0,85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0.011 |
Noat:D- mei diod diel, A-sûnder diode diel
Konvinsjoneel waarden de soldeerkontakt IGBT-modules tapast yn 'e switch gear fan fleksibele DC-oerdrachtsysteem.De module pakket is single side waarmte dissipaasje.De krêftkapasiteit fan it apparaat is beheind en net goed om te ferbinen yn searjes, min libben yn sâltlucht, minne vibraasje anty-shock of thermyske wurgens.
De nije type parse-kontakt hege-power parse-pack IGBT apparaat net allinnich folslein oplost de problemen fan leechstân yn soldering proses, termyske wurgens fan soldering materiaal en lege effisjinsje fan single-sided waarmte dissipation, mar ek elimineert de termyske wjerstân tusken ferskate komponinten, minimalisearje de grutte en gewicht.En signifikant ferbetterje de wurkjende effisjinsje en betrouberens fan IGBT apparaat.It is aardich geskikt om te foldwaan oan 'e easken fan hege krêft, hege spanning, hege betrouberens fan it fleksibele DC-oerdrachtsysteem.
It ferfangen fan soldeerkontakttype troch parsepakket IGBT is ymperatyf.
Sûnt 2010, Runau Electronics waard útwurke te ûntwikkeljen nij type press-pack IGBT apparaat en slagje de produksje yn 2013. De prestaasje waard sertifisearre troch nasjonale kwalifikaasje en de cut-edge prestaasje waard foltôge.
No kinne wy produsearje en leverje searjes press-pack IGBT fan IC-berik yn 600A oant 3000A en VCES-berik yn 1700V oant 6500V.In prachtich perspektyf fan parsepakket IGBT makke yn Sina om te wurde tapast yn Sina fleksibele DC-oerdrachtsysteem wurdt heech ferwachte en it sil in oare wrâldklasse mylpeen wurde fan Sina machtelektroanika-yndustry nei hege snelheid elektryske trein.
Koarte yntroduksje fan typyske modus:
1. Mode: Druk-pack IGBT CSG07E1700
●Elektryske skaaimerken nei ferpakking en drukken
● Reverseparallelferbûnsnelle herstel diodekonkludearre
● Parameter:
Rated wearde (25 ℃)
in.Collector Emitter Voltage: VGES = 1700 (V)
b.Gate Emitter Voltage: VCES = ± 20 (V)
c.Samlerstrom: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 4440 (W)
e.Working Junction Temperatuer: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Opslachtemperatuer: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Opmurken: it apparaat sil beskeadige wurde as de nominearre wearde is
ElektryskCskaaimerken, TC＝125℃，Rth (termyske ferset fankrúspunt oanrjochtsaak）net ynbegrepen
in.Gate Leakage Current: IGES = ± 5 (μA)
b.Samler-emitter blokkearjende hjoeddeistige ICES=250 (mA)
c.Collector Emitter Saturation Voltage: VCE (sat) = 6 (V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=10(V)
e.Ynskeakelje tiid: Ton = 2.5μs
f.Útskeakelje tiid: Toff = 3μs
2. Mode: Druk-pack IGBT CSG10F2500
●Elektryske skaaimerken nei ferpakking en drukken
● Reverseparallelferbûnsnelle herstel diodekonkludearre
● Parameter:
Rated wearde (25 ℃)
in.Collector Emitter Voltage: VGES = 2500 (V)
b.Gate Emitter Voltage: VCES = ± 20 (V)
c.Samlerstrom: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 4800 (W)
e.Working Junction Temperatuer: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Opslachtemperatuer: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Opmurken: it apparaat sil beskeadige wurde as de nominearre wearde is
ElektryskCskaaimerken, TC＝125℃，Rth (termyske ferset fankrúspunt oanrjochtsaak）net ynbegrepen
in.Gate Leakage Current: IGES = ± 15 (μA)
b.Samler emitter blokkearje aktuele ICES = 25 (mA)
c.Collector Emitter Saturation Voltage: VCE (sat) = 3.2 (V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=6.3(V)
e.Ynskeakelje tiid: Ton = 3.2μs
f.Útskeakelje tiid: Toff = 9.8μs
g.Diode Foarút spanning: VF = 3,2 V
h.Diode Reverse Recovery Tiid: Trr = 1,0 μs
3. Mode: Druk-pack IGBT CSG10F4500
●Elektryske skaaimerken nei ferpakking en drukken
● Reverseparallelferbûnsnelle herstel diodekonkludearre
● Parameter:
Rated wearde (25 ℃)
in.Collector Emitter Voltage: VGES = 4500 (V)
b.Gate Emitter Voltage: VCES = ± 20 (V)
c.Samlerstrom: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 7700 (W)
e.Working Junction Temperatuer: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Opslachtemperatuer: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Opmurken: it apparaat sil beskeadige wurde as de nominearre wearde is
ElektryskCskaaimerken, TC＝125℃，Rth (termyske ferset fankrúspunt oanrjochtsaak）net ynbegrepen
in.Gate Leakage Current: IGES = ± 15 (μA)
b.Samler emitter blokkearje aktuele ICES = 50 (mA)
c.Collector Emitter Saturation Voltage: VCE (sat) = 3.9 (V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=5.2 (V)
e.Ynskeakelje tiid: Ton = 5.5μs
f.Útskeakelje tiid: Toff = 5.5μs
g.Diode Foarút spanning: VF = 3,8 V
h.Diode Reverse Recovery Tiid: Trr = 2.0 μs
Noat:Press-pack IGBT is foardiel yn lange-termyn hege meganyske betrouberens, hege ferset tsjin skea en de skaaimerken fan 'e parse ferbine struktuer, is handich om te brûkt wurde yn searje apparaat, en fergelike mei de tradisjonele GTO thyristor, IGBT is voltage-drive metoade .Dêrom is it maklik te betsjinjen, feilich en breed operearjend berik.