Thyristor Chip
Thyristor Chip
De thyristor-chip produsearre troch RUNAU Electronics waard oarspronklik yntrodusearre troch GE-ferwurkingsstandert en technology dy't foldogge oan USA-applikaasjestandert en kwalifisearre troch wrâldwide kliïnten.It is featured yn sterke termyske wurgens ferset eigenskippen, lange libbensdoer, hege spanning, grutte stroom, sterke miljeu oanpassingsfermogen, ensfh Yn 2010, RUNAU Electronics ûntwikkele nij patroan fan thyristor chip dy't kombinearre de tradisjonele foardiel fan GE en Europeeske technology, de prestaasjes en effisjinsje waarden optimalisearre gâns.
Parameter:
| Diameter mm | Dikte mm | foltaazje V | Gate Dia. mm | Cathode Inner Dia. mm | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50,8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50,8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50,8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63,5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59,9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Technyske spesifikaasje:
RUNAU Electronics leveret macht semiconductor chips fan faze kontrolearre thyristor en snelle switch thyristor.
1. Low on-state voltage drop
2. De dikte fan aluminiumlaach is mear as 10 mikrons
3. Dûbele laach beskerming mesa
Tips:
1. Om de bettere prestaasjes te bliuwen, sil de chip yn stikstof of fakuüm betingst wurde opslein om de spanningsferoaring te foarkommen feroarsake troch oksidaasje en fochtigens fan molybdenumstikken
2. Hâld it chip-oerflak altyd skjin, draach asjebleaft wanten en reitsje de chip net mei bleate hannen
3. Operearje foarsichtich yn it proses fan gebrûk.Net beskeadigje de hars râne oerflak fan 'e chip en de aluminium laach yn' e peal gebiet fan 'e poarte en kathode
4. Yn test of ynkapseling, nim dan rekken mei dat de parallelism, flatness en clamp krêft de fixture moat wêze gearfalle mei de oantsjutte noarmen.Min parallellisme sil resultearje yn ûngelikense druk en chip skea troch krêft.As oerstallige clamp krêft oplein, de chip wurdt skansearre maklik.As oplein clamp krêft is te lyts, de earme kontakt en waarmte dissipation sil beynfloedzje de applikaasje.
5. De druk blok yn kontakt mei de kathode oerflak fan de chip moat wurde annealed
Recommend Clamp Force
| Chips Grutte | Clamp Force Oanrikkemedaasje |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 of Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 of Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |